DP-2400【射频】TDK/东京电子
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| 数据列表 |
DP Series |
|---|---|
| 产品相片 |
DP- SERIES |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 射频/IF 和 RFID |
| 家庭 | RF 天线 |
| 系列 | DP |
| 包装 | 散装 |
| 天线类型 | 测试：Precision 天线，用于校准 |
| 频带数 | 1 |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.48GHz |
| VSWR | - |
| 增益 | - |
| 端接 | SMA 母形 |
| 安装类型 | - |
| 高度（最大值） |
- |
公司简介
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行业资讯
意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管。
意法半导体STPOWERLDMOS晶体管产品家族最近新增了许多产品。该产品家族有三个不同的产品系列，都是为各种商用和工业射频功率放大器(PA)设计的。
STPOWERLDMOS的产品特点是能效高、热阻低。封装芯片可以处理高射频功率，兼有短导通道和高击穿电压。这些特点使得射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。
新的STPOWERLDMOSIDCH和IDDE系列是28V/32V共源N通道增强横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管，扩大了产品的目标应用范围。IDCH系列的输出功率为8W至300W，专门为工作频率高达4GHz的应用设计，包括2.45GHz工业、科学与医疗(ISM)设备、无线基础设施、卫星通信、航空电子和雷达设备。该系列LDMOS设备适用于所有类型的调制格式。
IDDE系列包括10W-700W产品，用于高达1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信。它可以在所有相位承受10:1的负载VSWR(电压驻波比)，适用于所有典型的信号调制格式，也适用于大多数类型的射频功率放大，包括A类、AB类和C类。高能效可以大大降低达到目标输出功率所需的电能，降低工作成本和散热，简化热管理设计，实现更紧凑的系统。
意法半导体IDEV系列还推出了新的50V共源N通道增强横向场效应射频功率晶体管。IDEV产品组合的输出功率范围为15W至2.2kW，设计用于频率高达250MHz的工业、科学和医疗设备，包括驱动高功率CO2激光器、等离子体发生器、MRI系统、88MHz-108MHz的广播调频无线电发射机、频率高达1.5GHz的航空电子设备和雷达。该系列适用于所有典型的调制格式和A、AB和C功放。
在高频(3-30MHz)到250MHz的频率范围内，性能强大的IDEV系列可以提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率，只用陶瓷包装，从而减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管总数。能效高于82%，有助于将系统电能需求降低到较低水平，保证系统可靠运行，热管理设计简单。
在这三个产品系列中，意法半导体共推出了30款新的STPOWERFLDMOS产品，用工业标准包装。
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